氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
作者:
郝跃,张金风,张进成著
ISBN:
9787030367174
出版日期:
2013-01
版次:
1
中图分类号:
TN103
学科分类:
附注信息:
本书共14章,介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。

    返回顶部